dr hab. inż. Piotr Płotka

Email piotr.plotka@pg.edu.pl
Numer telefonu (58) 347 16 34, (58) 348 62 84
Adres strony domowej http://pg.edu.pl/piotr.plotka

Notka biograficzna

Piotr Płotka received the M.Sc. and D.Eng. degrees in electronic engineering from the Gdansk University of Technology, Poland, in 1976 and 1985. In 2008 he received D.Sc. (Dr.Hab.) degree, also in electronic engineering, from the Institute of Electron Technology at Warsaw, Poland.

 

From 1977 he was with Academy of Technology and Agriculture at Bydgoszcz, Poland and from 1981 with the Gdansk University of Technology.  In cooperation with industry he developed a construction and technology for a silicon power transistor family. From 1985 he became an Assistant Professor at the Gdansk University of Technology. His group developed and patented spin-on diffusion sources used by industry for twenty years in production of silicon power diodes, thyristors and transistors.  

 

In 1990, he joined the Nishizawa Terahertz Project of Research Development Corporation of Japan, Sendai, where he was developing device applications of GaAs molecular layer epitaxy, which is a technology of growing crystal layers with thicknesses of single molecular layers step-by-step. From 1992 to 2008, he worked as a Senior Researcher at the Semiconductor Research Institute, Sendai. He led a group developing nanometer-scale GaAs static induction transistors for application in future communication circuits. The devices with 7-nm channel operated with quantum-mechanical tunneling and/or ballistic transport mechanism of electrons. His group developed also GaAs TUNNETT diode, belonging to the family of transit time diodes, generating 706 GHz wave in a continuous fundamental mode. His group participated in application of these diodes at millimeter- and submillimeter-wave systems. At the same time he was also developing fabrication methods for nanodevices such as area-selective epitaxial regrowth for definition of critical dimensions of the nanodevices independently from resolution of lithography. This method enabled fabrication of the 7-nm transistors despite using of only 1-µm-resolution photolithography.  For the same purpose he developed metal chemical vapor deposition (CVD) techniques combined with semiconductor epitaxial regrowth. He worked on physics of operation of the nanodevices also.

 

Since 2008 he is again with the Gdansk University of Technology, Poland. He works currently on fabrication and physics of operation of poly- and nano-crystalline diamond devices and sensors for electrochemical applications. He was also engaged in development of nano-sensors and transducers fabricated with semiconductor technologies.

 

He coauthored five Japanese and two Polish patents. He published over twenty papers in journals from the JCR list. According to the Web of Science his Hirsch index is 9.

 

He is experienced in teaching undergraduate and graduate courses of:

  • physics and operation of semiconductor devices;
  • fundamentals of microelectronics;
  • integrated circuit technology;
  • analog circuits;
  • microelectromechanical systems (MEMS).

 

 

 

 

Piotr Płotka otrzymał tytuł zawodowy magister inżynier w 1976 r. i stopień doktor inżynier w dyscyplinie elektronika w 1985 r. – nadane przez Wydział Elektroniki Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej. W 2008 r. otrzymał stopień doktora habilitowanego, także w dyscyplinie elektronika, nadany przez Instytut Technologii Elektronowej w Warszawie.

 

Od 1977 r. pracował w Akademii techniczno-Rolniczej w Bydgoszczy, a od 1981 r. w Politechnice Gdańskiej. We współpracy z przemysłem opracował konstrukcję i technologię wytwarzania rodziny krzemowych tranzystorów dużej mocy. W 1985 r. został adiunktem na Wydz. Elektroniki Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej. Jego grupa opracowała i opatentowała rozwirowywane źródła domieszek stosowane następnie przez ponad dwadzieścia lat przez przemysł w produkcji krzemowych diod, tyrystorów i tranzystorów mocy.

 

Od 1990 r. pracował jako badacz, potem jako kierownik zespołu badawczego w projekcie o nazwie "Nishizawa Terahertz Project", fundowanym przez Research Development Corporation of Japan (JRDC), w Sendai w Japonii. Pracował tam nad zastosowaniem epitaksji warstw molekularnych (MLE) do wytwarzania przyrządów z arsenku galu. MLE jest metodą wytwarzania warstw krystalicznych przez kolejne nakładanie warstw, każda o pojedynczej grubości molekularnej. Od roku 1992 do roku 2008 pracował jako starszy badacz w Instytucie Badań Półprzewodników, w Sendai w Japonii. Kierował opracowaniem tranzystora SIT (Static Induction Transistor) na arsenku galu, z kanałem o długości 7 nm. Transport elektronów w wytworzonych tranzystorach polegał na kwantowo mechanicznym tunelowaniu ze źródła do drenu i na przelocie balistycznym, przy czym czas przelotu  elektronów był nie większy niż  10-13 s. Jego grupa wytworzyła też w GaAs diody TUNNETT, należące do rodziny diod generacyjnych bazujących na czasie przelotu, generujące w trybie podstawowym ciągłym falę o częstotliwości 706 GHz. Jego grupa uczestniczyła w zastosowaniu tych generatorów w systemach dla fal milimetrowych i submilimetrowych. Opracował metody wytwarzania pozwalające na określanie krytycznych rozmiarów nanoprzyrządów na poziomie wielokrotnie mniejszym, niż wynikałoby to z rozdzielczości stosowanej litografii. Na przykład dla wytworzenia tranzystorów z kanałami o długości 7 nm opracowano selektywną epitaksję w nieosłoniętych maską obszarach GaAs jako metodę wytwarzania i samoczynnego definiowania długości kanału, a stosowana fotolitografia miała rozdzielczość 1 µm. W podobnym celu opracowano procesy pyrolizy (CVD) metali stosowane w kombinacji z selektywną epitaksją. Badał również fizykę działania opracowywanych nanoprzyrządów.

 

Od 2008 r. pracuje ponownie w Wydz. Elektroniki Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej. Zajmuje się obecnie wytwarzaniem i fizyką działania poli- i nano-krystalicznych przyrządów i czujników diamentowych dla zastosowań elektrochemicznych. Pracuje też nad nowymi nano-czujnikami i przetwornikami wytworzonymi z wykorzystaniem technologii półprzewodnikowych.

 

Jest autorem pięciu japońskich I dwóch polskich patentów. Opublikował ponad dwadzieścia artykułów w czasopismach z listy JCR. Według Web of Science jego indeks Hirscha wynosi 9.

 

Doświadczenie w nauczaniu studentów I, II I III stopnia:

  • fizyka i działanie przyrządów półprzewodnikowych;
  • podstawy mikroelektroniki;
  • technologia wytwarzania układów scalonych;
  • układy analogowe;
  • systemy mikroelektromechaniczne (MEMS).