Kontakt:
- email:
- pchrzan@pg.edu.pl
Zajmowane stanowiska:
Profesor
- miejsce pracy:
- Katedra Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych
Budynek A Wydziału Elektrotechniki i Automatyki, EM-211
- telefon:
- (58) 347 17 19
Publikacje:
-
Publikacja
This paper presents local shielding techniques applied to a half-bridge inverter leg with the aim to reduce the common mode (CM) current noise at converter’s DC input. The research study is conducted for 650V Enhancement mode Gallium Nitride (GaN) power transistor switches. Main contributors of parasitic capacitances referred to the inverter-leg middle point node are identified. Then, shielding solutions are proposed to reduce...
-
Publikacja
A dc-dc buck converter using gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMT) is experimentally investigated at the discontinuous current mode (DCM) and at the triangular current mode (TCM) operation. The paper objective is to specify the power conversion efficiency and attenuation of common mode (CM) and differential mode (DM) noise voltage, measured at the line impedance stabilization network (LISN) for compared...
-
Publikacja
The general wideband modeling method of the power converter is presented on the example of DC-DC buck converter with GaN High Electron Mobility Transistors (HEMT). The models of all basic and parasitic components are briefly described. The two methods of Printed Circuit Board (PCB) layout parameter extraction are presented. The results of simulation in Saber@Sketch simulation software and measurements are compared. Next, the model...
-
Publikacja
Celem artykułu jest przedstawienie programu LTspice w otwartym dostępie, jako skutecznego narzędzia do nauczania elektroniki oraz symulacji układów elektronicznych na potrzeby zdalnego laboratorium. Na wybranych przykładach, realizowanych przez studentów: obwodów rezonansowych, stabilizatorów napięcia, wzmacniaczy operacyjnych w układach całkujących, filtrach, wzmacniaczy mocy wyjaśnione są metody analizy w dziedzinie czasu i...
-
Publikacja
This paper presents the adaptation of a 3D integration concept previously used with vertical devices to lateral GaN devices. This 3D integration allows to reduce loop inductance, to ensure more symmetrical design with especially limited Common Mode emission, thanks to a low middle point stray capacitance. This reduction has been achieved by both working on the power layout and including a specific shield between the devices and...
